工作電壓
2.4~3.6V
工作電流
1.2mA
ROM
16k Bytes OTP
SRAM
512 Bytes
封裝
QFN40
本芯片是帶24位ADC的SOC產(chǎn)品,程序存儲器為16k Bytes OTP,超低功耗設(shè)計,使用內(nèi)部RC振蕩器的4分頻工作,3V工作電壓下,典型應用時的工作電流只有1.5mA。
外圍資源豐富:RTC,UART,可選的多種穩(wěn)壓電源輸出,靈活設(shè)置的PGIA模塊,升壓模塊,帶有CAPTURE功能的TIMER,PWM和PFD輸出模塊,LCD驅(qū)動等。
本產(chǎn)品帶16k Bytes OTP,可以低壓自燒錄,燒錄電壓范圍:2.4~3.6V,可以替代EERPOM使用。
MCU提供三種工作模式讓用戶可以在工作效率和能量消耗方面得到最佳選擇,三種模式是:正常工作模式、待機模式、休眠模式。
高精度ADC,ENOB = 21.0bits@8sps, 4個差分通道或8個單端通道
低噪聲高輸入阻抗前置放大器,1、4、8、16、32、64、128、256倍增益可選
內(nèi)置1路OPA
內(nèi)置基準,溫漂小于50ppm
8位RISC超低功耗MCU,49條指令,6級堆棧,在2MHz工作時鐘,MCU部分在3V 工作電壓下電流典型值為400μA; 32kHz時鐘待機模式下工作電流1.5μA,休眠模 式電流小于1μA
16k Bytes OTP程序存儲器,512 Bytes SRAM 數(shù)據(jù)存儲器
低壓燒錄功能,可以替代外部EEPROM
靈活的電池檢測功能,檢測范圍2.0~3.3V
RTC模塊,可以計算年、月、星期、日、時、分、秒,可以自動進行閏年計算
豐富的外圍資源:UART,PWM,PDM,PFD,CAPTURE,TIMER
最大18SEG×4COM、17SEG×5COM、16SEG×6COM、14SEG×8COM液晶驅(qū)動 電路,超低功耗和大驅(qū)動能力設(shè)計;內(nèi)含程控升壓模塊,可以在低壓條件下維持高 亮顯示,支持灰度調(diào)節(jié)
8bits DAC
所有I/O帶施密特觸發(fā)輸入及選擇上拉電阻
掉電檢測電路和上電復位電路
工作電壓范圍:2.4~3.6V
工作溫度范圍:-40~125℃
內(nèi)部8MHz與32kHz RC振蕩器