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SD23M101

工作電壓

高壓模式6.5~40V
低壓模式4.5~5.5V

高壓模式6.5~40V
低壓模式4.5~5.5V

工作電流

2.5mA

2.5mA

ROM

32k Bytes MTP

32k Bytes MTP

SRAM

2k Bytes

2k Bytes

封裝

QFN32

QFN32
芯片描述

   SD23M101高度集成，用于阻式或電壓型傳感器，如擴(kuò)散硅、陶瓷、單晶硅等壓力傳感器信號調(diào)理及變送輸出芯片。片內(nèi)集成高壓電源模塊，24位主信號測量ADC，24位溫度測量ADC，儀表放大器，恒流源、恒壓源激勵(lì)，支持OWI等數(shù)字接口，支持4-20mA、0-5V、0-10V變送輸出。高度集成，使用很少的外圍器件，即可實(shí)現(xiàn)方案與調(diào)試工作。內(nèi)置高壓電源模塊，允許最高40V的電壓輸入芯片，0-10V輸出模式電路更簡單。內(nèi)置多種傳感器校準(zhǔn)算法，如3P3T、5P5T、7P7T，校準(zhǔn)參數(shù)保存在芯片內(nèi)部的EEPROM中。內(nèi)置溫補(bǔ)算法，使得方案的整體溫漂更小。


芯片特點(diǎn)
  • 內(nèi)置24bits ADC1，包含1~256倍增益的低噪聲PGA，外部單差分輸入通道
  • 內(nèi)置24bits ADC 2，支持1、2、4、8和16倍增益，外部單差分輸入通道或兩單端
輸入通道，可切換至內(nèi)部溫度傳感器輸入通道
  • 內(nèi)置高精度16bits DAC支持4~20mA、0-5V、0-10V輸出
  • 內(nèi)置一路低溫漂電壓激勵(lì)源，激勵(lì)電壓可選為2.5V和4V
  • 內(nèi)置兩路電流激勵(lì)源，激勵(lì)電流100μA、250μA、500μA和750μA可選
  • 內(nèi)置高線性度的溫度傳感器
  • 內(nèi)置低溫漂基準(zhǔn)，溫漂典型值為5ppm℃，最大值為10ppm/℃
  • 多種ODR設(shè)置，可對50/60Hz的干擾及其諧波同時(shí)產(chǎn)生抑制
  • 內(nèi)置壓力傳感器校準(zhǔn)算法，3P3T、5P5T、7P7T
  • OWI通信，可借助4-20mA環(huán)路通信
  • 工作電壓范圍：內(nèi)置高壓電源管理模塊，支持6.5~40V寬電壓供電
  • 工作溫度范圍：-40~150℃
芯片框圖
應(yīng)用領(lǐng)域

流量計(jì)

溫度變送器

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