Flash
120k
SRAM
8k
ADC ENOB
19.5bits@15.2sps
Gain=128
Gain=128
LCD
4*44段
通訊口
2個 UART、1個 I2C、1個SPI
本芯片是帶有 LCD 驅(qū)動和 24 位高精度ADC 的 32 位 MCU 的 SOC 產(chǎn)品,提供 120KBFlash 空間用于存儲用戶程序。
本芯片為 32 位的系統(tǒng)芯片,可以字節(jié)、半字(16 位)、全字(32 位)訪問,系統(tǒng)時鐘上電默認為 12MHz,可通過寄存器配置選擇不同的時鐘作為系統(tǒng)時鐘,最高可配置為 24MHz。
本芯片提供四種工作模式,讓用戶可以在工作效率和能量消耗方面得到最佳選擇,四種模式分別是:正常工作模式、待機(WAIT)模式、休眠(DOZE)模式和深度休眠(STOP)模式。
高精度 ADC, ENOB = 18.6bits@8sps (Gain= 256), 4 個差分通道或者 8 個單端通道
低噪聲高輸入阻抗前置放大器, 1、 4、 8、16、 32、 64、 128 和 256 倍增益可選, 帶offset 校正功能
內(nèi)置 12 位 SAR ADC, 帶自校準功能,采樣時間及工作模式可選
32 位 MCU(24MHz max), 120k BytesFLASH, 8k Bytes Boot, 8k Bytes SRAM
內(nèi)置高頻 RC 振蕩器, 24MHz, 校準后精度可達±1%
內(nèi)置低頻 RC 振蕩器, 32kHz
可支持高頻晶體振蕩器, 8~24MHz
支持低頻晶體振蕩器, 32.768kHz
帶 RTC 模塊, 可以計算年、月、星期、日、時、分和秒,可以自動進行閏年計算
帶 LCD 驅(qū)動模塊, 最多可支持 44SEG*4COM、 43SEG *5COM、 42SEG * 6COM 和 40SEG * 8COM 四種驅(qū)動模式; 具有超低功耗和大驅(qū)動能力設計,內(nèi)含程控升壓 模塊,可以在低壓條件下維持高亮顯示;驅(qū)動電壓可選, 2.7~5.2V
內(nèi)置傳感器激勵輸出,輸出電壓可選,2.4~4.5V,步長為 0.3V
內(nèi)置開短路探測電流(Burnout Detect Current Source)
可輸出 1.2V 的基準
內(nèi)置正弦波發(fā)生器,輸出頻率可選:5kHz、 50kHz、 100kHz 和 200kHz,支持八 電極BIA 測脂
內(nèi)置兩個運算放大器 OPA 和 OPB
內(nèi)置低壓檢測電路, 包括一個 8 bits DAC和一個 rail to rail 輸入的比較器,以實現(xiàn) 靈活的電池檢測和觸摸按鍵檢測等功能。 電壓檢測范圍 2.0~5.3V
內(nèi)置硅溫度傳感器,可以單點校正,支持自動正反測
內(nèi)置最多 2 路 UART 通信接口,待機時RXD0/RXD1 下降沿自動喚醒 MCU
內(nèi)置 1 路 I2C 通信接口
內(nèi)置 1 路 SPI 通信接口
內(nèi)置 2 路獨立的 16 位 PWM/PDM 輸出
內(nèi)置 1 路捕捉輸入口 CCP
內(nèi)置 16bits Timer0/1/2,用于定時中斷等
內(nèi)置蜂鳴器輸出驅(qū)動,驅(qū)動的時鐘和頻率可設置
2 個外部中斷, INT1~0
7 個按鍵中斷, KEY6~0
所有數(shù)字輸入口都帶施密特觸發(fā)輸入, 可選擇是否使用上拉電阻,上拉電阻阻值為50kΩ
工作電壓范圍: 2.4~5.5V
工作溫度范圍: -40~85℃