Flash
56k
SRAM
4k
ADC ENOB
19.1bits@15.2sps
Gain=128
Gain=128
LCD
4*22段
通訊口
1個 UART、1個 I2C
本芯片是帶有LCD驅(qū)動和24位高精度ADC的32位MCU的SoC產(chǎn)品,提供56KB Flash空間用于存儲用戶程序。
本芯片為32位的系統(tǒng)芯片,可以字節(jié)、半字(16位)、全字(32位)訪問,系統(tǒng)時鐘上電默認為8MHz,可通過寄存器配置選擇不同的時鐘作為系統(tǒng)時鐘,最高可配置為16MHz。
本芯片提供四種工作模式,讓用戶可以在工作效率和能量消耗方面得到最佳選擇,四種模式分別是:正常工作模式、待機(WAIT)模式、休眠(DOZE)模式和深度休眠(STOP)模式。
高精度ADC,ENOB = 18.2bits@8sps (Gain = 256),4個差分通道或者8個單端通道
低噪聲高輸入阻抗前置放大器,1、4、8、16、32、64、128和256倍增益可選, 帶offset校正功能
32位MCU(16MHz max),56k Bytes FLASH,8k Bytes Boot,4k Bytes SRAM
內(nèi)置高頻RC振蕩器,16MHz,校準后精度可達±1%
內(nèi)置低頻RC振蕩器,32kHz
支持高頻晶體振蕩器,8~16MHz
支持低頻晶體振蕩器,32.768kHz
帶RTC模塊,可以計算年、月、星期、日、時、分和秒,可以自動進行閏年計算
帶LCD驅(qū)動模塊,支持22SEG * 4COM、20SEG * 6COM和18SEG * 8COM三種驅(qū) 動模式;具有超低功耗和大驅(qū)動能力設(shè)計,內(nèi)含程控升壓模塊,可以在低壓條件下 維持高亮顯示;驅(qū)動電壓可選,2.7~5.2V
內(nèi)置傳感器激勵輸出,輸出電壓可選,2.4~4.5V,步長為0.3V
內(nèi)置開短路探測電流(Burnout Detect Current Source)
可輸出1.2V的基準
內(nèi)置正弦波發(fā)生器,輸出頻率可選:5kHz、50kHz、100kHz和200kHz,支持八電極BIA測脂
內(nèi)置兩個運算放大器OPA和OPB
內(nèi)置低壓檢測電路,包括兩個8 bits DAC和一個rail to rail 輸入的比較器,以實現(xiàn) 靈活的電池檢測和觸摸按鍵檢測等功能。電壓檢測范圍2.0~5.3V
內(nèi)置硅溫度傳感器,可以單點校正,支持自動正反測
內(nèi)置1路UART通信接口,待機時RXD下降沿自動喚醒MCU
內(nèi)置1路I2C通信接口
內(nèi)置2路獨立的16位PWM輸出
內(nèi)置1路捕捉輸入口CCP
內(nèi)置16bits Timer0/1/2,用于定時中斷等
內(nèi)置蜂鳴器輸出驅(qū)動,驅(qū)動的時鐘和頻率可設(shè)置
2個外部中斷,INT1~0
7個按鍵中斷,KEY6~0
所有數(shù)字輸入口都帶施密特觸發(fā)輸入,可選擇是否使用上拉電阻,上拉電阻阻值為50kΩ
IO大驅(qū)動設(shè)計,6個IO的Sinking能力為60mA
工作電壓范圍:2.4~5.5V
工作溫度范圍:-40~85℃